Транзистор 2508df чем заменить

Наименование производителя: BU2508DF

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7

BU2508DF Datasheet (PDF)

0.1. bu2508df.pdf Size:72K _philips

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DF GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers. Features exceptional tolerance to base drive an

0.2. bu2508df.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor BU2508DFDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

7.1. bu2508dw.pdf Size:54K _philips

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DW GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers.Features exceptional tolerance to base drive and collecto

7.2. bu2508dx.pdf Size:73K _philips

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508DX GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor with an integrateddamper diode in a plastic full-pack envelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour televisionreceivers. Features exceptional tolerance to base drive an

Источник

Транзистор 2508df чем заменить

Наименование производителя: BU2508D

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Читайте также: Фолликулез тела что это

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7

BU2508D Datasheet (PDF)

0.1. bu2508dw.pdf Size:54K _philips

0.2. bu2508dx.pdf Size:73K _philips

0.3. bu2508df.pdf Size:72K _philips

Источник

Транзистор 2508df чем заменить

Наименование производителя: BU2508DX

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7

Корпус транзистора: ISO218

BU2508DX Datasheet (PDF)

0.1. bu2508dx.pdf Size:73K _philips

0.2. bu2508dx.pdf Size:217K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor BU2508DXDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

7.1. bu2508dw.pdf Size:54K _philips

7.2. bu2508df.pdf Size:72K _philips

Источник

Транзистор 2508df чем заменить

Наименование производителя: BU2508AF

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4

BU2508AF Datasheet (PDF)

0.1. bu2508af.pdf Size:82K _philips

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508AF GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic full-packenvelope intended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptionaltolerance to base drive and collector current load variati

0.2. bu2508af.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor BU2508AFDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolor TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

7.1. bu2508aw 1.pdf Size:61K _philips

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508AW GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelopeintended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance tobase drive and collector current load variations result

7.2. bu2508aw.pdf Size:61K _philips

7.3. bu2508a 1.pdf Size:58K _philips

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2508A GENERAL DESCRIPTIONEnhanced performance, new generation, high-voltage, high-speed switching npn transistor in a plastic envelopeintended for use in horizontal deflection circuits of colour television receivers. Features exceptional tolerance tobase drive and collector current load variations resulti

Источник

Параметры транзистора BU2508DF. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Высказывания:
Компетентность всегда содержит зерно некомпетентности.
Закон эволюции Питера

Основные параметры транзистора BU2508DF биполярного низкочастотного npn.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
45W	1500V	700V	5V	8A	150°C	—	90	7MIN

Производитель: PHILIPS
Сфера применения: Power, TV Deflection
Популярность: 17967
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора BU2508DF

Общий вид транзистора BU2508DF.	Цоколевка транзистора BU2508DF.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора BU2508DF.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Источник