Транзистор rjp30h1 чем заменить

Решено Samsung PS43D450A2WXRU горят IGBT в Y-SUS

Это информационный блок по ремонту телевизоров

Неисправности ТВ

Если у вас есть вопрос по неисправности телевизора и определении дефекта, Вы должны создать свою, новую тему в форуме. По этой теме в форуме уже рассмотрены следующее:

Начинающие мастера, и не только, часто ищут принципиальные схемы, схемы соединений, блоков питания, пользовательские и сервисные инструкции. На сайте они размещены в специально отведенных разделах и доступны к скачиванию гостям, либо после создания аккаунта:

Большинство справочной литературы можно скачать в каталоге «Энциклопедия ремонта», и на отдельных страницах:

При создании вопросов по электронным компонентам используемых в телевизионной аппаратуре, указывайте точный тип корпуса, либо фотографию. Наиболее распространены:

Programmer (программатор)

Это устройство для записи (считывания) информации в память микросхем или другое устройство. При смене прошивки телемастера выбирают программаторы, недостатки и достоинства которых рассмотрены в отдельных темах:

Краткие сокращения

Желающим подключиться к обсуждениям

После регистрации аккаунта на сайте Вы сможете опубликовать свой вопрос или отвечать в существующих темах. Участие абсолютно бесплатное.

Ответ в тему Samsung PS43D450A2WXRU горят IGBT в Y-SUS как и все другие советы публикуются всем сообществом. Большинство участников это профессиональные мастера по ремонту и специалисты в области электроники.

Возможность поиска по всему сайту и файловому архиву появится после регистрации. В верхнем правом углу будет отображаться форма поиска по сайту.

Источник

Транзистор rjp30h1 чем заменить

ДОБАВЛЕНО 18/09/2019 11:37

Появилось чёрное пятно на экране слева.

Пятно присутствует и в автономном режиме.При изменении размера изображения,пятно остаётся на том же месте.Есть подозрение на матрицу,хотя нет полной уверенности.Хотелось бы знать наверняка.

serega73, а фото этого пятна в автономном запуске матрици?

Сегодня через 5 минут работы телевизора вылетели три транзистора RJP30H1 в x-sus.Заменил их и телек опять заработал. Я на этом сайте немного затупил и теперь не могу выкладывать фотки здесь. Попробую загрузить их в другое место и скинуть сюда ссылку. Забыл добавить,что кроме чёрного пятна ещё красные точки по всему растру на изображении.

судя по фото, игрик недочинен, после повторного сгорания ключей, есть смысл повторно перепроверить все не пробившиеся ключи, диоды на предмет, утечки ( на мегаомном режиме)

ДОБАВЛЕНО 20/09/2019 12:05

и сфотографируй присланые «оригинальные» RJP63к2

Заметил,что в момент включения появляется небольшое чёрное пятно справа.Затем в течении 1-2 минут оно «рассасывается». Ссылка на фото транзистора https://picua.org/image/4d1Zzk

Решил вопрос по-поводу чёрного пятна(спасибо Pavel P). Проблема была в блоке Y-sus mosfet транзисторе Q5014: 3N50( слегка прозванивались выводы затвор-исток в обоих направлениях). Вернулся к тому с чего начинал(описано в шапке) плюс красные «мураши». Насчёт них читал на форуме, но ни замена микросхемы 74VHCT541AFT в X-sus, ни замена SMK630 в Y-sus не дали желаемого результата. Правда,сейчас в X-sus вместо Q4002: RJP30H1 пришлось поставить RJH30H1,но проблема вряд ли в этом.

Так в чём же причина,что является виной X или Y?

ДОБАВЛЕНО 21/09/2019 21:44

Был такой случай когда в блоке Ysus были поставлены китайские транзисторы (в прямом смысле этого слова там и ножки разной толщены да и вообще) и было похожая картинка после замены на нормальные все пришло в норму.

ДОБАВЛЕНО 21/09/2019 21:45

В самом начале предложили сменить на оригинальный.

Источник

Транзистор rjp30h1 чем заменить

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30

Время нарастания: 150

RJP30H1DPP-M0 Datasheet (PDF)

Preliminary Datasheet RJP30H1DPP-M0 R07DS0466EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ. Low leak current: ICES = 1 A max. Isolated p

Preliminary Datasheet RJP30H1DPP-M0 R07DS0466EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ. Low leak current: ICES = 1 A max. Isolated p

Preliminary Datasheet RJP30H1DPD R07DS0465EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V typ. Low leak current: ICES = 1 A max. Outline RENES

5.2. rjp30h1dpd.pdf Size:130K _renesas

Preliminary Datasheet RJP30H1DPD R07DS0465EJ0200Silicon N Channel IGBT Rev.2.00High speed power switching Jun 15, 2011Features Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V typ. Low leak current: ICES = 1 A max. Outline RENES

Источник

IGBT транзисторы используемые в плазменных телевизорах PDP. (1/1)

16 Дек 2018 19:44 #1

IGBT транзисторы используемые в плазменных телевизорах PDP.

2PG011 540V 40A 40W Vse 2.5V N-ch. TO-220F

AP85GT33SW 330V 90A 150W IGBT TO-3P

AP88N30W 300V 48A 312W 48Mom N-ch.TO-247

DG301 330V 40A TO-220F И TO-263

DG302 300V 250A TO-263 DG3C3020CL

DG402RP 430V 40A N-ch. TO-220F аналог DG3D4020CSRP,HGTP20N60C3, RJP63F3D

FDPF33N25T 250V 20A 94W 0.094om N-ch. TO-220F аналог FDPF51N25R,FDPF44N25T

FDPF51N25 250V 28A 0.060om 117W N-ch.TO-220F

FGA90N33ATD 330V 90A 223W TO-3P

FGD4536 360V 220A 125W TO-252

FGPF30N45T 450V 30A 50W TO-220F

FGPF4536 360V 220A 28.4W Vce=1.59V TO-220F

FGPF4633 330V 300A Vce 1.55A 30W TO-220F

FGPF4636 360V 60A TO-220F

FGPF50N33BT 330V 50A 43W N-Ch. Vce-1.6 IGBT TO-220F

FGPF70N30T 300V 70A 52W VCE =1.4V TO-220F

FGPF70N33 330V 70A 48W TO-220F

GT30F122 300V 120A 120W Vce-2.4 TO-220F

GT30F123 300V 200A Vce-2.1 25W TO-220F

GT30F124 300V 200A 25W Vce-2.3 TO-220F

GT30F125 330V 200A Vce-1.9 TO-220F

GT30F126 330V 200A 18W TO-263

GT30F131 360V 200A 140W Vce-1.9 TO-263

GT30F133 300V, 30A, TO-252 TO-263 и TO-220

GT30G122 400V 120A 25W Vce-2.6 TO-220F

GT30G123 430V 200A 25W Vce-2.2 TO-220F

GT30G124 430V 200A Vce-2.5 TO-220F

GT30G125 430V 200A 25W Vce-2.1 TO-220F аналог GT30G123, DG402RP,DG3D4020CSRP

GT30J124 600V 200A PULSE 26W TO-220F

GT30J127 600V 200A 25W TO-220F

GT30J322 600V 30A 75W TO-247

GT45F122 300V 200A 25W Vce-2.2 TO-220F

GT45F123 300V 200A 29W Vce-1.95 TO-220F

GT45F128 330V 200A 26W Vce-1.45 TO-220F

GT45G122 300V 200A Vce = 2.2V 25W TO-220F

GT45G128 430V 200A Vce=1.55 26W TO-220F

IRFP4332 250V 57A 29mom 360W TO-3P аналог AP88N30

IRFS52N15D 150V 51A 230W D-2PAK

IRG7R313U 330V 40A 78W TO-252 аналог 30J124,30F133

IRG7S313U 330V 40A 78W TO-263 аналог RJP30H2

IRG7SC28U 60A 225A 171W D2PAK

IRGP4086 300V 250A 160W TO-247

R5007 500V 7A 40W 1.3om N-ch. TO-220F аналог KF7N60

R6015ANX 600V 15A 0.3om 50W TO-220F

RCJ330N25 250V 33A 211W N-ch. TO-263

RCJ450N20 200V 45A 40W 42mom N-ch. TO-263

RCX200N20 200V 20A 40W 130Mom N-ch. TO-220F

RFN20NS3SW TO-263 PANASONIC

RGH3044 360V 30A 20W TO-220F

RJH3077 330V 50A Vce=1.6V TO-247

RJH30A3 300V 30A TO247

RJH30E2 360V 30A 120W TO-220F

RJH30E3 360V 40A TO-220F

RJH60F4 600V 60A 235W VCE 1.4 V TO-247

RJK6026 600V 5A 28W N-ch.TO-200F

RJP3034 аналог RJP30E2DPP, RJP30E3DPP, GT30F125

RJP3043 330V 50A TO-247

RJP3044 360V 30A TO-220F

RJP3045 360V 35A 25W TO-220F

RJP3047 330V 50A TO-3P

RJP3049 330V 65A IGBT TO-3P

RJP3053 300V 30A Vce-2.0 TO220F

RJP3054 300V 40A Vce=1.8V TO-220F

RJP3063 300V 30A Vce-1.7V TO-220F

RJP30E2 360V 35A 25W N-ch. IGBT TO-220F аналог RJP30E3DPP, GT30F125,RJP3034DPP

RJP30E3 360A 40A 60W VCE = 1.6 V TO-3P

RJP30H1 360V 200A 40W N-ch. TO-252

RJP30H2 360V 35A 60W VCE = 1.4 V TO-247

RJP30H2A 360V 250A 60W TO-263 аналог G7S313U

RJP43F4A 430V 40A TO-220F

RJP4584 450V 35A TO-220FP

RJP4585 400V 200A PIC 29W TO220F

RJP56F4 430V 200A 30W TO-220F

RJP6055 600V 20A IGBT TO-220F

RJP6065 630V 40A 50W N-ch. TO-3P и TO-220F

RJP63F3 630V 40A 30W N-Ch. TO-220F аналог RJP6065DPP

Источник

IGBT – подделки и оригиналы. Собственное исследование

Симптомы выхода из строя IGBT транзистора вспышки:

В ручном режиме, вне зависимости от установленной мощности, вспышка всегда срабатывает на полную мощность.

В автоматическом (TTL) режиме вспышка происходит, но кадр не освещается.

Во встроенных вспышках мощности невелики, найти IGBT транзистор для замены проблем нет. В накамерных вспышках коммутируемые токи доходят до 220А и частота повторения импульсов доходит до 10 кГц в режиме HSS. В таких режимах выходят из строя даже оригинальные заводские транзисторы, не говоря про не-оригинал.

В свою очередь копии, перемаркировка и прочий «левак» настолько незначительно отличаются от оригинала, что мы решили подготовить исчерпывающую статью про «сорта» IGBT.

В данной статье рассматривается как вопросы оригинальности запчастей, так и причины выхода из строя оригинальных транзисторов.

Анализ коснулся нескольких типов самых распространенных, а значит и самых подделываемых, типов транзисторов – RJP5001 (Nikon SB900), RJP4301 (Практически все вспышки Canon Speedlight и все китайские TTL, 200А), TIG056 (Устанавливаются во все вспышки с 30В управлением).

RJP4301

Рассмотрим особенности оригинальных транзисторов:

Старый тип транзистора. Встречается в Canon 430EXII, Canon 580EXII

Новый тип транзистора, встречается в Canon 430EXIII-RT, Canon 600EX-RT, Yongnuo

Особенности:

Особенности:

RJP4301, подделка #1

Все типы поддельных транзисторов перечислить невозможно, но некоторые из них нам попались.

RJP5001

RJP5001 тоже бывают двух генераций, «новая» нам попалась в Nikon SB700.

Старый тип транзистора. Встречается в Nikon SB900, SB910

Новый тип транзистора, встречается в некоторых Nikon SB700

Особенности:

Особенности:

Подделка RJP5001 #1

Особенности: Почти ничем не отличается от оригинального транзистора, но выдает корпус: нет круглых выштамповок в верхних углах, на поверхности видны следы шлифовки корпуса. Кристалл такого транзистора исчезающе мал на фоне оригинала. На практике такие транзисторы не выдерживают и 1/128 импульс однократно.

Подделка RJP5001 #2

Особенности: Корпус напоминает оригинальный TIG056, за исключением маркировки. Ровная, шлифованная и блестящая поверхность транзистора не свойственна оригинальным изделиям. Кристалл также размером не вышел.

CT40KM

Рассмотрим особенности оригинальных транзисторов:

Кристалл размером с таковой у RJP5001, при несравнимо более скромных параметрах.

Подделок на CT40KM-8H нам еще не попадалось, как и самих транзисторов в продаже.

TIG056

Именно этот транзистор на сегодняшний (2020 год) день является единственным доступным IGBT транзистором с допустимым напряжением на затворе 30В. А значит, это единственная прямая замена CT40KM и RJP301. У нас на складе они есть в наличии: IGBT TIG056 на складе.
Рассмотрим особенности оригинальных транзисторов:

Подделка TIG056 #1

Особенности: Корпус со шлифовкой на лицевой стороне, не очень аккуратно выполнена. Маркировка тонким шрифтом, двумя строками вместо трех. Выштамповки вроде-бы есть, но не там и не в тех количествах. Кристалл меньше раза в два.

Причины выхода из строя оригинальных транзисторов и методы борьбы с этим явлением

Кратко пройдемся и по причинам выхода из строя транзисторов. Если копии/перемаркировка «вылетают» по вполне понятным причинам, то почему мастера сталкиваются с выходом из строя оригинальных транзисторов?

Причин, в принципе, может быть три.

Методы повышения надежности:

2) Проблемы с управлением затвора IGBT транзистора. Недостаточно резкое нарастание напряжения на затворе гарантированно выведет из строя транзистор. В этом случае он успевает оказаться в линейном режиме, с многократным превышением рассеиваемой мощности.

3) Превышение допустимого напряжения К-Э. Данное явление встречается редко при оборванном, искрящем проводе к негативному электроду лампы. Собственно и добавить тут нечего. Данному явлению особо подвержены старые (420EX) вспышки и, как ни странно, Nikon SB700.

Методы повышения надежности (в общем). Если во вспышке горит уже не первый транзистор, то возможно, данные рекомендации помогут выполнить качественный ремонт:

В данную статью попадает каждый забракованный транзистор, который нам присылают поставщики-любители подделок. А значит материала со временем станет больше, а работа мастеров чуточку проще.

Источник