Транзистор кт315б чем заменить

Транзистор КТ315б: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить

Аналоги транзистора КТ315б:

Биполярный транзистор KT315B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT315B

Характеристики основных аналогов

Наименование производителя: 1D500A-030

Наименование производителя: 1DI200A-120

Наименование производителя: 1DI200E-055

Наименование производителя: 1DI200K-055

Наименование производителя: 1DI200Z-100

Наименование производителя: 1DI300D-100

Наименование производителя: 1DI300Z-120

Наименование производителя: 1DI30MA-050

Источник

Транзистор КТ315Б (Б1)

Согласно своим техническим характеристикам транзистор КТ315Б – является биполярным и имеет кремневую n-p-n структуру, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Относительная дешевизна и хорошие усилительные свойства, сделали его очень популярным в СССР с момента своего появления. Впервые был произведен на Фрязинском заводе полупроводниковых приборов 1967г.

Более подробно про серию, к которой относится данный транзистор, можно прочитать в статье про КТ315.

Распиновка

Технические характеристики

По своим техническим характеристикам КТ315Б самый слабый транзистор в серии по пропускаемому напряжению (до 20 В). Вместе с тем он один из сильнейших с точки зрения усиления по току (до 350 H_21Э). Рассмотрим его предельно допустимые значения эксплуатации подробнее:

КТ315б допускается возможность использования при P_K до 250 мВт, при U_КБ=12,5, I_K= 20 мА. При этом, максимальную мощность рассеиваемая на коллекторе определяют по формуле: P_Kмакс. =(120°C — Т_окр. )/0,67. При этом, недопустима длительная эксплуатация на предельных значениях допустимых параметров, из-за чего устройство обычно выходит из строя.

Электрические параметры

Комплементарная пара

КТ315Б считается высокочастотным транзистором, разработанным прежде всего для функционирования в схемах усиления высокой, промежуточной и низкой частоты. Для работы в паре с ним, с противоположными полупериодами напряжений, применяется комплеменатрная пара КТ361Б, имеющая структуру p-n-p.

Аналоги

Чаще всего в виде аналога для КТ315Б в различных схемах используют КТ3102Б. Можно сказать, что это его более совершенная модель нового образца. Из зарубежных замен можно рассматривать следующие: BC546…BC548, 2SC2209.

Производители

На текущий момент производство рассмотренного устройства сокращается. Несмотря на это на отечественном рынке электронных компонентов можно встретить продукцию российской компании «Элькор» и белорусского предприятие АО «Интеграл». Одну из старый версий даташит от АО «Кремний» можно скачать по ссылке.

Источник

Транзистор КТ315

КТ315 — кремниевый транзистор, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный, высокочастотный, малой мощности, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение КТ-13 и КТ-26 (TO-92).

Предназначение

Транзистор предназначен для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, а также в схемах импульсных устройств в аппаратуре общего назначения.

Для компьютеров, станков с ЧПУ, цветных телевизоров и аудиоаппаратуры высшего класса выпускались транзисторы повышенной надежности, в их маркировке рядом с буквой присутствовала точка.

Корпус, цоколевка и размеры

Характерные особенности

Предельные эксплуатационные характеристики

Электрические параметры

Примечание: данные в таблице действительны при температуре среды T_a = 25°C.

Маркировка

Рассмотрим транзистор КТ315 в корпусе КТ-13. Радиоэлемент имеет цифробуквенное обозначение и чаще встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска.

Современный KT315 выпускается в корпусе для сквозного монтажа КТ-26 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315 (TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, схем импульсных устройств и другой аппаратуры общего применения.

Отечественное производство

Зарубежное производство

٭ — изделие в настоящее время не выпускается, однако могут иметься значительные запасы.

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах базы: 0,1; 0,2; 0,3; 0,4 мА.

Рис. 2. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах базы: 0,05; 0,1; 0,15; 0,2; 0,25; 0,3; 0,4; 0,45 мА.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при соотношении I_C/I_B = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при соотношении I_C/I_B = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 5. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления h_FE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера I_E.

Характеристика снята при напряжении U_CB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 6. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления h_FE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера I_E.

Характеристика снята при напряжении U_CB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 7. Зависимость модуля коэффициента усиления тока базы от тока эмиттера I_E при высокой частоте f = 100 МГц.

Зависимость снята при напряжении U_CE = 10В. Пунктиром показан 95% разброс результатов измерений параметра.

Рис. 8. Зависимости постоянной времени обратной связи по коллекторной цепи τ_С [пс] от величины напряжения коллектор-база при высокой частоте для некоторых транзисторов семейства КТ315.

Характеристика снята при токе эмиттера I_E = 5 мА и частоте 5 МГц. Пунктирной линией показан 95% разброс значений измеренного параметра.

Источник