Темновой ток в чем измеряется

Фотодиоды и фотопроводники

Фотодиоды. Принцип действия

Фотодиод работает подобно обыкновенному сигнальному диоду. Отличие заключается в том, что фотодиод генерирует фототок, когда свет поглощается в области переходного слоя полупроводника. Это устройство обладает высокой квантовой эффективностью, а потому находит применение в решении многих задач.

При работе с фотодиодами необходимо точно определить значения выходного тока и учесть чувствительность к падающему свету. На рисунке 1 показана схема фотодиода, состоящая из основных компонентов.

Терминология

Чувствительность

Чувствительность фотодиода может быть определена как отношение генерируемого фототока (I_PD) к мощности падающего света (P) на заданной длине волны :

Режим работы

Фотодиоды могут работать в одном из двух режимов – без внешнего источника электрической энергии (режим фотогенератора) либо с внешним источником электрической энергии (режим фотопреобразователя). Выбор режима зависит от требований к скорости работы и количества допустимого темнового тока (тока утечки).

Режим фотопреобразователя

В режиме фотопреобразователя применяется внешнее обратное смещение, которое заложено в основе детекторов серии DET. Ток в контуре определяет освещенность устройства; выходной ток линейно пропорционален входной оптической мощности. Применение обратного смещения увеличивает ширину обедненного перехода, создавая повышенную чувствительность и уменьшая емкость перехода. Таким образом возникают линейные зависимости некоторых величин. Работа в этих условиях, как правило, приводит к увеличению темнового тока; но на это влияет и сам материал фотодиода. (Примечание: детекторы DET работают в режиме обратного направления)

Режим фотогенератора

Темновой ток

Темновым током называют ток утечки, который возникает при приложении напряжения смещения к фотодиоду. При работе в режиме фотопреобразователя наблюдается увеличение темнового тока, и его зависимость от температуры. Теоретически темновой ток удваивается при каждом повышении температуры на 10°C, а сопротивление шунта удваивается при повышении на 6°C. Конечно, большее смещение может уменьшить емкость перехода, но количество присутствующего тока утечки при этом увеличится.

На темновой ток также влияет материал фотодиода и размер активной области. Обычно кремниевые фотодиоды создают низкий темновой ток по сравнению с устройствами из германия. В приведенной ниже таблице перечислены некоторые материалы, используемые в производстве фотодиодов и их относительные темновые токи, скорость, чувствительность и стоимость.

Источник

Фотопроводящий и фотоэлектрический режимы работы фотодиодов

В данной статье мы рассмотрим преимущества двух типов реализации схем на фотодиодах.

Когда следует использовать фотоэлектрический и фотопроводящий режимы при установке фотодиодов в электрические схемы? В данной статье мы обсудим подробности этих режимов и варианты проектов, связанных с ними.

Это третья часть нашей серии «Введение в фотодиоды», в которой исследуются технические подробности работы этих устройств, которые в различной форме реагируют на высокочастотное электромагнитное излучение:

Фототок

Основной выходной сигнал фотодиода – это ток, который течет через устройство от катода к аноду и приблизительно линейно пропорционален освещенности (однако имейте в виду, что на величину фототока также влияет длина волны падающего света – подробнее об этом в следующей статье). Для дальнейшей обработки сигнала этот фототок преобразуется в напряжение с помощью последовательно включенного резистора или преобразователя ток→напряжение на операционном усилителе.

Детали связи света и тока фотодиода будут варьироваться в зависимости от условий смещения диода. В этом суть различия между фотоэлектрическим и фотопроводящим режимами: в фотоэлектрической реализации схема, окружающая фотодиод, поддерживает анод и катод под одним и тем же потенциалом; другими словами, диод имеет нулевое смещение. В фотопроводящей реализации схема, окружающая фотодиод, создает обратное смещение, что означает, что катод находится под более высоким потенциалом, чем анод.

Темновой ток

Основная неидеальность, влияющая на фотодиодные системы, называется темновым током, потому что это ток, который течет через фотодиод даже при отсутствии освещения. Полный ток, протекающий через диод, представляет собой сумму темнового тока и фототока. Темновой ток ограничивает способность системы точно измерять низкие интенсивности света, если эти интенсивности создают фототоки величиной, аналогичной величине темнового тока.

Вредное влияние темнового тока можно уменьшить с помощью методов, которые вычитают из тока диода ожидаемый темновой ток. Однако темновой ток сопровождается темновым шумом, то есть формой дробового шума, наблюдаемой как случайные изменения величины темнового тока. Система не может измерять интенсивность света, фототок которой настолько мал, что теряется в этом темновом шуме.

Фотоэлектрический режим в фотодиодных схемах

Следующая схема представляет собой пример реализации фотоэлектрической системы.

Рисунок 1 – Пример включения фотодиода в фотоэлектрическом режиме

Эта схема на операционном усилителе называется трансимпедансным усилителем (TIA, transimpedance amplifier). Она разработана специально для преобразования сигнала тока в сигнал напряжения, причем отношение тока к напряжению определяется значением резистора обратной связи R_ос. Неинвертирующий вход операционного усилителя соединен с землей, и если мы применим предположение о виртуальном коротком замыкании, мы узнаем, что на инвертирующем входе всегда будет примерно 0 В. Таким образом, катод и анод фотодиода поддерживаются при напряжении 0 В.

Я не уверен, что «фотоэлектрическая» – это совсем точное название этой реализации на базе операционного усилителя. Не думаю, что фотодиод работает как солнечный элемент, генерирующий напряжение за счет фотоэлектрического эффекта. Но «фотоэлектрический» – это общепринятая терминология, нравится мне это или нет. Термин «режим нулевого смещения», я думаю, подходит лучше, потому что мы можем использовать этот же трансимпедансный усилитель с фотодиодом в фотоэлектрическом или фотопроводящем режиме, и, таким образом, отсутствие напряжения обратного смещения является наиболее заметным отличительным фактором.

Когда использовать фотоэлектрический режим

Преимущество фотоэлектрического режима – снижение темнового тока. В обычном диоде прикладывание напряжения обратного смещения увеличивает обратный ток, потому что обратное смещение уменьшает диффузионный ток, но не уменьшает дрейфовый ток, а также из-за утечки.

То же самое происходит и с фотодиодом, но обратный ток называется темновым током. Более высокое напряжение обратного смещения приводит к увеличению темнового тока, поэтому, используя операционный усилитель для удержания фотодиода примерно при нулевом смещении, мы практически исключаем темновой ток. Таким образом, фотоэлектрический режим хорош для приложений, которым необходимо максимизировать эффективность при низкой освещенности.

Фотопроводящий режим в фотодиодных схемах

Чтобы переключить показанную выше схему детектора в фотопроводящий режим, мы подключаем анод фотодиода к источнику отрицательного напряжения, а не к земле. Катод всё еще находится под напряжением 0 В, но анод находится под некоторым напряжением ниже 0 В; таким образом, на фотодиод подается обратное смещение.

Рисунок 2 – Пример включения фотодиода в фотопроводящем режиме

Когда использовать фотопроводящий режим

Прикладывание напряжения обратного смещения к PN-переходу приводит к расширению обедненной области. Это имеет два положительных эффекта в контексте применения фотодиодов. Во-первых, более широкая обедненная область, как объяснялось в предыдущей статье, делает фотодиод более чувствительным. Таким образом, фотопроводящий режим – хороший выбор, когда вы хотите получить больший выходной сигнал при той же освещенности.

Во-вторых, более широкая обедненная область снижает емкость перехода фотодиода. В схеме, показанной выше, наличие сопротивления обратной связи и емкости перехода (наряду с другими источниками емкости) ограничивает полосу пропускания замкнутой петли системы. Как и в случае с базовым RC-фильтром нижних частот, уменьшение емкости увеличивает частоту среза. Таким образом, фотопроводящий режим обеспечивает более широкую полосу пропускания и предпочтителен, когда вам нужно максимизировать способность детектора реагировать на быстрые изменения освещенности.

Наконец, обратное смещение также расширяет диапазон линейной работы фотодиода. Если вас беспокоит точность измерений при высокой освещенности, вы можете использовать фотопроводящий режим и выбрать напряжение обратного смещения в соответствии с требованиями вашей системы. Но помните, что большее обратное смещение также увеличивает темновой ток.

Рисунок 3 – Hamamatsu – ведущий производитель фотоприемников. Этот график, взятый из их руководства по кремниевым фотодиодам, дает представление о том, насколько вы можете расширить область линейного отклика фотодиода, увеличив напряжение обратного смещения

Резюме

На характеристики детекторной системы на базе фотодиода влияют условия смещения фотодиода. Фотопроводящий режим использует обратное смещение и обеспечивает более высокую чувствительность, более широкую полосу пропускания и улучшенную линейность. Фотоэлектрический режим использует нулевое смещение и минимизирует темновой ток.

Источник

5.1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОДИОДЫ (ФД)

Функция детектора волоконно-оптической системы передачи сводится к преобразованию входного оптического сигнала в электрический, который затем подвергается усилению и обработке электронными схемами фотоприёмника. Предназначенный для этих целей фотодетектор должен точно воспроизводить форму оптического сигнала, не внося дополнительного шума.
Поэтому основными требованиями к фотодетектору являются:

Наиболее полно указанным требованиям удовлетворяют полу-проводниковые фотодиоды.
Фотоэлектрическое преобразование позволяет осуществлять дальнейшую обработку информации на основе электронных схем, возможности которых при всех прочих равных условиях ограничены соотношением сигнала к шуму на входе электронного тракта, следующего за фотодетектором. Селективные фотоприёмники позволяют увеличить объём передачи информации на нескольких близких несущих частотах. Ширина полосы спектральной чувствительности фотоприёмников Δλ, определяющая их селективность, должна совпадать с шириной полосы источников излучения.
В полупроводниковых фотоприёмниках иcпользуют две формы внутреннего фотоэффекта:

Для создания чувствительных и быстродействующих фотодетекторов можно использовать как внешний, так и внутренний фотоэффекты. Внешний фотоэффект используется в вакуумных приборах – фотоэлементах, когда падающий на катод свет вызывает эмиссию электронов. При внутреннем фотоэффекте (но только при фотовольтаическом эффекте) в области p-n-перехода полупроводника образуются носители заряда внутри полупроводника.

5.1.1 Принцип действия фотодиода

Рисунок 5.1 – Процесс перехода электрона в зону проводимости

Для регистрации потока фотонов необходимы условия, при которых электронно-дырочные пары не рекомбинируют за счёт перехода электрона обратно в валентную зону. Эти условия в ФД создаются внутренним электрическим полем перехода. Известно, что в области перехода концентрация электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне меньше, чем в прилегающих полупроводниках n- и p-типа, соответственно. Поэтому область в окрестности перехода называется обеднённым слоем. Именно здесь вероятность поглощения фотона велика, а среднее время, за которое созданная электронно-дырочная пара рекомбинирует, может быть сделано большим.
Процессу разделения подвергаются носители заряда, генерируемые в обеднённой области перехода и прилегающей к ней областях размером, примерно равным диффузионной длине неосновных носителей. Только с расстояния, меньшего диффузионной длины, неосновной носитель в процессе движения успевает пересечь границу перехода за время жизни.
Неосновные носители, генерируемые в р- и n-областях на большом расстоянии от границы перехода, вследствие рекомбинации не попадают в обеднённую область, где сосредоточено электрическое поле перехода. На рисунке 5.2 показана зонная диаграмма энергетических уровней электрона при обратном смещении.

Рисунок 5.2 – Зонная диаграмма энергетических уровней электронов для р-n-перехода при обратном смещении U

Обеднённый слой не имеет свободных носителей, поэтому его сопротивление очень велико, и практически всё падение напряжения приходится на область контакта. В результате электрические силы очень велики в области контакта и пренебрежимо малы в других областях.
За счёт напряжения смещения U возникает дополнительное ускоряющее электрическое поле, которое действует на электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне и перемещает носители, появившиеся при поглощении фотона, улучшая тем самым характеристики фотодиода. В результате электроны дрейфуют в n-область, а дырки – в p-область, где вероятность их рекомбинации мала. Величина приложенного напряжения напрямую связана с напряжённостью электрического поля, а, следовательно, и с кулоновской силой, действующей на заряженные частицы.
В конечном итоге напряжение смещения U определяет скорость их движения через обеднённую область. Эта скорость должна быть выбрана так, чтобы время пролёта частиц до внешних контактов ФД было бы существенно меньше, чем среднее время рекомбинации. Тогда практически все электронно-дырочные пары, появившиеся вследствие поглощения фотонов, участвуют в формировании фототока. Те носители, которые достигают обеднённой области быстро проходят её под действием сильного электрического поля, возбуждая при этом ток во внешней цепи. Данный ток возникает со сдвигом во времени по сравнению с поглощением фотона. Сдвиг во времени определяется первоначальным медленным диффузионным движением носителей по направлению к обеднённой области.
В идеальном фотодиоде весь падающий свет поглощается в обеднённом слое, и все рождающиеся носители собираются на контактах. Тогда фототок под действием оптической мощности P определяется из выражения

где Р – оптическая мощность;
E_ф– фото-ЭДС;
e – заряд электрона.
На практике, конечно, часть падающего света отражается.

5.1.2 «Красная граница» фотоэффекта

При выборе ФД для ВОЛС необходимо учитывать зависимость его спектральной чувствительности от длины волны λ источника света. Выбранный ФД сохраняет способность реагировать на оптическое излучение до тех пор, пока энергия фотонов, составляющих это излучение, достаточна для перевода электрона из валентной зоны в зону проводимости (рисунок 5.3).

а–при «зона – зонном» возбуждении; б–в результате возбуждения с участием донорных и акцепторных уровней; в–при внутризонных переходах
Рисунок 5.3 – Зонная структура, иллюстрирующая процессы поглощения при различных возбуждениях

Для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия фотона, поэтому каждый тип фотоприёмника имеет длинноволновую границу, определяемую выбранным материалом

где E_з[эВ]=E_п-E_в – ширина запрещенной зоны, или энергетический зазор при переходе «зона–зона» или «примесный уровень–зона».
Выражение (5.3) определяет так называемую «красную границу» λ_пор для ФД, выполненного из полупроводникового материала. При λ>λ_пор он не реагирует на оптическое излучение.
Основным видом фотопроводимости является собственная фотопроводимость, обусловленная внутренним фотоэффектом, при котором изменение электропроводности происходит вследствие оптического возбуждения носителей заряда из связанных состояний в свободные и соответственного увеличения концентрации электронов в зоне проводимости или дырок в валентной зоне.
Фотопроводимость может возникнуть так же за счёт оптических переходов между двумя связанными состояниями (примесная фото-проводимость). Примесная фотопроводимость может быть индуцирована в полупроводнике при освещении его коротковолновым светом соответствую-щей области собственного поглощения. Это явление может наблюдаться в полупроводнике, содержащем донорные и акцепторные примеси.
Как правило, собственная фотопроводимость значительно сильнее примесной. Поэтому «красная граница» определяется шириной запрещённой зоны применяемого полупроводника.
Поглощение приводит к экспоненциальному уменьшению мощности излучения

где х – глубина поглощения;
α – коэффициент поглощения, характеризующий материал.

Для изготовления ФД часто используют кремний (Si), германий (Ge) и комбинированные соединения типа InGaAs. Кремниевые ФД имеют «красную границу» в области λ = 1мкм и поэтому редко используются в ВОЛС, в которых наиболее часто применяют источники света с длиной волны λ = 1,3мкм и λ = 1,55мкм. В последнее время, благодаря новейшим достижениям в области технологии, получили широкое применение приборы на основе комбинированных соединений. Их характеристики оптимизируются специально для использования совместно с определённым типом волоконного световода и источником. Широко применяется полупроводник типа InGaAsP в спектральном диапазоне 0,98 – 1,6мкм для создания высокоскоростных ФД.

5.1.3 Вольт-амперные характеристики ФД

На рисунке 5.4 показаны вольт-амперные характеристики ФД в области прямого и обратного смещения p-n-перехода.

Рисунок 5.4 – Вольт-амперные характеристики фотодиода

5.1.4 p-n-фотодиод

Схема фотодиода p-n-типа приведена на рисунке 5.5.

Рисунок 5.5 – Процесс образования носителей тока в p-n-фотодиоде

Диод имеет обеднённую область, образованную неподвижными положительно заряженными атомами донора в n-области перехода и неподвижными отрицательно заряженными атомами акцептора в р-области, а также область поглощения падающего света.
Ширина обёдненной области зависит от концентрации легирующих примесей: чем меньше примесей, тем шире обеднённый слой. Положение и ширина поглощающей области зависит от длины волны падающего света и материала, из которого изготовлен фотодиод. Чем сильнее поглощается свет, тем тоньше поглощающая область. Когда поглощаются фотоны, электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости и образуются электронно-дырочные пары. Если такие пары создаются в обеднённой области, то электроны и дырки под влиянием сильного поля в этой области будут быстро дрейфовать в обе стороны (электроны в n-слой, а дырки в p-слой) и в цепи смещения возникнет ток. Если электронно-дырочная пара образуется вне обеднённой области, то дырка вначале диффундирует в направлении градиента концентрации, а уже затем попадёт на внешний контакт. Так как процесс диффузии по сравнению с дрейфом происходит медленнее, то желательно, чтобы большая часть света поглощалась в обеднённой области. Увеличение этой области достигается уменьшением концентрации легирующей примеси в n-слое. Слабо легированный n-слой можно считать теперь собственным, т.е. i-слоем (от англ. intrisic – собственный). Если теперь добавить сильно легированную n-область, то получим известную p-i-n-структуру.

5.1.5 р-i-n-фотодиод

На практике используется два типа фотодиодов. Первый из них – p-i-n-фотодиод – получил своё название благодаря структуре слоёв полупроводниковых материалов, из которых он образован. На рисунке 5.6 приведена структура продольного сечения такого устройства, на котором обозначены:

Рисунок 5.6 – Структура продольного сечения p-i-n-фотодиода

1 – тонкий слой полупроводника p-типа с концентрацией основных носителей (дырок) N_р на несколько порядков выше, чем у собственного полупроводника;
2 – слой собственного полупроводника i-типа (обеднённый слой);
3 – слой полупроводника n-типа с концентрацией основных носителей (электронов) N_n на несколько порядков выше, чем у собственного полупроводника;
4 – изолирующий слой SiO₂;
5 – отрицательный контакт, обеспечивающий подачу отрицательного потенциала на полупроводниковый слой 1;
6 – просветляющее покрытие, нанесённое на внешнюю поверхность слоя 1, представляет собой тонкую плёнку вещества толщиной λ/4, что уменьшает потери на отражение;
7 – положительный контакт, нанесённый на внешнюю поверхность слоя 3.

Рисунок 5.7 – Процесс образования носителей тока в p-i-n-фотодиоде, возникновение фототока и распределение электрического поля в структуре

ФФД при фотовольтаическом эффекте может быть представлен эквивалентной схемой, в которой этот процесс учитывается введением ёмкости перехода C_Д (рисунок 5.8). Она шунтирует активное сопротивление перехода R_Д и, в конечном итоге, определяет быстродействие фотоприёмника.

Рисунок 5.8 – Эквивалентная схема фотодетектора

Рассмотренный p-i-n-фотодиод работает при напряжениях смещения U меньше пробивного напряжения U_пр

5.1.6 Лавинный фотодиод

Предельная чувствительность p-i-n-фотодиода определяется хаотическими флуктуациями напряжения и тока на выходе, которые имеются как в присутствии оптического сигнала, так и без него. В случае p-i-n-диода – это тепловой и дробовой шум и шум темнового тока. Значительного увеличения пороговой чувствительности можно добиться в лавинных фотодиодах (ЛФД), работа которых основана на лавинном умножении носителей, так как в этом случае возникает внутреннее усиление. Конечно, при этом умножатся шумы диода, но суммарный эффект останется положительным, Такое умножение можно получить в лавинном процессе при высоких значениях электрического поля в лавинном фотодиоде. Структура продольного сечения ЛФД показан на рисунке 5.9.

Рисунок 5.9 – Структура продольного сечения ЛФД

Рисунок 5.10 – Процесс образования носителей тока в ЛФД, возникновение фототока и распределение электрического поля в структуре

5.1.7 Параметры фотодиода

а) Квантовая эффективность η.
Как правило, не все поглощенные кванты света приводят к появлению электроно-дырочной пары. Этот факт необходимо учитывать коэффициентом, характеризующим эффективность преобразования фотонов в электрический ток, или так называемой квантовой эффективностью (квантовым выходом) фотодетектора.
Квантовой эффективностью (выходом) фотодиода называется отношение числа рождающихся в секунду электронов к числу фотонов, падающих на ФД:

где I_ф – фототок;
e – заряд электрона;
h – постоянная Планка;
ν – частота излучения;
P – мощность оптического излучения.
Таким образом, средний ток, протекающий через нагрузку, определяется соотношением

На рисунке 5.11 приведена зависимость квантовой эффективности η для германиевого и кремниевого ФД от длины волны λ.

Рисунок 5.11 – Зависимость квантовой эффективности от длины волны для германиевого и кремниевого фотодиодов

Для образования электронно-дырочной пары энергия hν поглощаемого кванта должна быть достаточной для перевода электрона из валентной зоны в зону проводимости, т.е. должно выполняться условие hν ≥ E_з.
Фотодиоды, выполненные из германия, работают при длинах волн короче 1,8мкм, из кремния – при длинах волн короче 1,2мкм, из арсенида галлия – до 0,87мкм.

б) Токовая чувствительность (монохроматическая) S.
Токовая чувствительность S (А/Вт) определяется как

где I_ф – фототок (А);
P(λ) – полная оптическая мощность излучения на длине волны λ, падающего на фоточувствительную площадку (Вт).

С учётом того, что I_ф = eηP/(hν), получаем

Отсюда следует, что чувствительность тем выше, чем больше квантовый выход η, т.е. чем больше доля светового потока используется для создания электронно-дырочных пар.
Токовая чувствительность характеризует фотоприёмник при низких частотах модуляции.

в) Темновой ток I_T.
При обратном смещении через нагрузку в отсутствии падающего на фотодиод излучения протекает темновой ток I_T(нА). Его величина зависит от материала полупроводника, температуры окружающей среды, конструкции фотодетектора. Этот ток добавляется к току полезного сигнала, когда на фотодиод поступает свет.
Значения этого тока утечки достигает единиц наноампера.

г) Время нарастания τ_нар (спада τ_спад).
Это самая важная динамическая характеристика ФД. Она определяется как время, необходимое выходному сигналу, чтобы возрасти от уровня 0,1 до 0,9 (снизиться от 0,9 до 0,1) от установившегося максимального значения при условии, что на вход подаются строго прямоугольные импульсы света большой длительности. Эти времена зависят от структуры ФД, материала, напряжённости электрического поля в слаболегированной области и температуры. Максимальная из двух величин (обычно τ_нар) берётся в качестве характеристики времени отклика ФД. С увеличением частоты модуляции входных оптических импульсов максимальное значение фототока уменьшается. Предельная частота определяется как частота модуляции, при которой токовая чувствительность составляет 0,707 от значения токовой чувствительности при низких частотах модуляции.
На полосу пропускания или скорость передачи влияют, главным образом, времена нарастания и спада. Различные ФД могут очень сильно отличаться по быстродействию (таблица 5.1).

Таблица 5.1. Типовые характеристики фотодетекторов

Наиболее быстрыми являются p-i-n-ФД. У ЛФД увеличение коэффициента умножения сопровождается уменьшением быстродействия по сравнению с p-i-n-ФД.

д) Шумы ФД.
Шумом называется любое возмущение электрического или оптического характера, отличное от полезного сигнала. Шум является неустранимым эффектом, который серьезно ограничивает чувствительность детектора.
Как известно в основе работы детектора лежит генерация электрического тока, обусловленная падающими фотонами. От него требуется улавливание даже очень слабого оптического сигнала и генерация заметного электрического тока. Однако в действительности электрический сигнал может быть достаточно слабым.
Сигнал несёт полезную информацию, а шум является чем-то дополнительным и бесполезным. Хотя, шум присутствует во всех частях коммуникационной системы, особенно важен его уровень на входе в приёмное устройство. Причина в том, что приёмное устройство работает со слабым сигналом, потерявшим свою первоначальную мощность при передаче. Поэтому, шум становится заметным на фоне слабого сигнала. Того же уровня шум в передающем устройстве обычно не существенен, поскольку здесь уровень сигнала намного выше. Итак, шум оказывает существенное влияние на порог чувствительности детекторов. Слишком слабый оптический сигнал невозможно различить на фоне шума, для этого необходимо либо уменьшить уровень шума, либо усилить сигнал.
В процессе усиления в приёмном устройстве усиливается не только сигнал, но и шум. Некоторые виды шума можно отфильтровать с помощью электронных фильтров.
Различают следующие виды шумов.

где е – заряд электрона;
I_фср – среднее значение (постоянная составляющая) фототока (включая фоновый ток и ток сигнала);
Δf – ширина частотной полосы приёмника.
Из уравнения (5.12) видно, что дробовой шум увеличивается при росте тока и ширины полосы. Дробовой шум минимален, когда присутствует только фоновый ток и растёт при возникновении тока, возбуждаемого оптическим сигналом. Детектор с уровнем фонового тока 2нА, работающий в частотной полосе 10МГц, имеет дробовой шум на уровне 80пА:

Тепловой шум. Тепловой шум возникает благодаря флуктуациям сопротивления детектора. Электроны в пространстве между электродами ведут себя хаотично. Их тепловая энергия позволяет им случайным образом смещаться. В каждый момент времени суммарный поток случайного теплового движения электронов может быть направлен к одному либо к другому электроду. Таким образом, появляется постоянно меняющийся случайный ток, изменяющий сигнал. Тепловой ток задаётся выражением

Тепловой и дробовой шумы в ФД определяются структурой вещества и могут быть уменьшены при улучшении устройства детектора, но избавиться от них полностью невозможно. Любой сигнал – оптический, электрический или звуковой – обязательно существует совместно с шумом. После приёма, на стадии следующей после детектирования, происходит усиление сигнала совместно с шумом. Таким образом, сигнал должен быть существенно больше шума. Если амплитуда сигнала равна амплитуде шума, то это следствие плохого детектирования. При адекватном детектировании амплитуда сигнала должна минимум в два раза превосходить амплитуду шума.

Шумы темнового тока. Ранее было отмечено, что даже при отсутствии падающего на фотодиод излучения (Р=0) через ФД протекает темновой ток. Его характер также случаен и он является дополнительным источником шума, который подобен квантовому. Величина среднеквадратичного значения шумовой составляющей темнового тока I_шT определяется его средним значением I_T следующим образом:

Фотодетектор с уровнем темнового тока 10нА, работающий в полосе 10МГц, имеет шум темнового тока

Таким образом, полный шумовой ток определяется как среднее квадратичное дробового, теплового и темнового тока:

Источник