Транзистор a2shb чем заменить

Наименование прибора: SI2302

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 36 ns

Выходная емкость (Cd): 115 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm

SI2302 Datasheet (PDF)

0.1. si2302ds.pdf Size:257K _philips

SI2302DSN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 02 20 November 2001 Product dataM3D0881. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:SI2302DS in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount packa

Si2302ADSVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.060 at VGS = 4.5 V 2.4 100 % Rg Tested20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.115 at VGS = 2.5 V 2.0TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S 2 Top View Si2302ADS (2A)* * Marking CodeOrdering Informatio

0.3. si2302dds.pdf Size:204K _vishay

Si2302DDSVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition0.057 at VGS = 4.5 V 2.9 TrenchFET Power MOSFET20 3.50.075 at VGS = 2.5 V 100 % Rg Tested2.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switching for Portable Dev

0.4. si2302cd.pdf Size:209K _vishay

Si2302CDSVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.057 at VGS = 4.5 V 2.920 3.5RoHS0.075 at VGS = 2.5 V APPLICATIONS2.6COMPLIANT Load Switching for Portable Devices DC/DC ConverterTO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2302

0.5. si2302cds.pdf Size:209K _vishay

Si2302CDSVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Material categorization:0.057 at VGS = 4.5 V 2.9 For definitions of compliance please see 20 3.50.075 at VGS = 2.5 V www.vishay.com/doc?999122.6APPLICATIONS Load Switching for Portable Devices DC/DC ConverterTO

0.6. si2302ds.pdf Size:64K _vishay

Si2302DSVishay SiliconixN-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.085 @ VGS = 4.5 V 2.820200.115 @ VGS = 2.5 V 2.4TO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2302DS (A2)**Marking CodeABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 20VVGate-Source Voltage VGS «8TA= 25_

0.7. si2302ad.pdf Size:204K _vishay

Si2302ADSVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.060 at VGS = 4.5 V 2.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC200.115 at VGS = 2.5 V 2.0TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S 2 Top View Si2302ADS (2A)* * Marking CodeOrdering Information: Si2302ADS-T1-E3 (

0.8. si2302-tp.pdf Size:270K _vishay

MCCMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311SI2302Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesN-Channel 20V,3.0A, RDS(ON)=55m @VGS=4.5VRDS(ON)=82m @VGS=2.5VEnhancement Mode High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliableField Effect Transistor Lead free product is acqu

MCCMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311SI2302Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesN-Channel 20V,3.0A, RDS(ON)=55m @VGS=4.5VRDS(ON)=82m @VGS=2.5VEnhancement Mode High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliableField Effect Transistor Lead free product is acqu

0.10. si2302a.pdf Size:853K _mcc

SI2302AFeatures Rugged and Reliable Lead Free Product is Acquired High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) N-Channel Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1Enhancement Mode Halogen Free Available Upon Request by Adding Suffix «-HF» Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix Designates RoHS Field Effect Transistor

0.11. si2302.pdf Size:4060K _htsemi

SI230220V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 3.6A 85m RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 2.0A 115m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions DGSMillimeter MillimeterREF. REF. SOT-23Min.Max. Min. Max.A 2.70 3.10 G 1.90 REF. B 2.40 2.80 H 1.00 1.30C 1.4

0.12. si2302a.pdf Size:2025K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SI2302AN-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.040 @ VGS = 4.5 V 3.020200.060 @ V 2.0GS = 2.5 V(SOT-23)G 13 DS 2Top View(A2)*SI2302AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 20VVGate-Source Voltage VG

0.13. si2302 a2shb.pdf Size:1928K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SI2302N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.065 @ VGS = 4.5 V 3.020200.090 @ V 2.0GS = 2.5 V(SOT-23-3L)(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSI2302 (A2sHB)*ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 20VVGate-Sou

0.14. si2302.pdf Size:873K _blue-rocket-elect

SI2302 Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features R SOT-23 DS(ON)Super high dense cell design for low RDS(ON),SOT-23 package. / Applications

0.16. si2302ds-3.pdf Size:1471K _kexin

0.17. si2302ds.pdf Size:1142K _kexin

0.18. si2302s.pdf Size:1627K _born

0.19. si2302.pdf Size:7031K _born

SI2302MOSFET ROHSN-Channel Enhancement-Mode MOSFETSOT-23-FeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Maximum Ratings & Thermal Characteristics (Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.)Parameter Symbol LimitUnitDrain-Source Voltage VDS 20V Gate-Source Voltage VGS 10Continuous

0.20. si2302.pdf Size:265K _guangdong_hottech

Plastic-Encapsulate MosfetsFEATURESSI2302High dense cell design for extremely low RDS(ON)N-Channel MOSFETRugged and reliableCase Material: Molded Plastic.Absolute Maximum Ratings (TA=25oC, unless otherwise noted)Parameter Symbol Ratings UnitDrain-Source Voltage VDS 20 VGate-source Voltage VGS 8 V1.Gate2.SourceDrain Current (Continuous) ID 2.1 A SOT-233.DrainaDrai

0.21. si2302s.pdf Size:1248K _mdd

SI2302SSOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-23 VDS= 20V 3RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 2.3A4 8m RDS(ON), Vgs@ 3.3V, Ids@ 2.3A 5 5m 1. GATE 2. SOURCE 13. DRAIN2FeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceEquivalent circuitMARKING D A2sHBG S PACKAGE SPE

0.22. si2302.pdf Size:2126K _mdd

SI2302SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-23 ID MaxV(BR)DSS RDS(on)Typ 328m @ 4.5V 3.0A 20V 1. GATE 32m @ 3.3V 2. SOURCE 13. DRAIN2FeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceEquivalent circuitMARKING D A2sHBG S PACKAGE SPECIFICATIONSReel DIA. Q’TY/Ree

0.23. si2302ai-ms.pdf Size:303K _msksemi

www.msksemi.comSI2302AI-MSSemiconductor CompianceGeneral Features V = 20V,I = 3 ADS DR

0.24. si2302.pdf Size:678K _cn_szxunrui

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSI2302SI2302 N-Channel 20-V(D-S) MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.045@ 4.5V320V 3A1.GATE0.055@ 2.5V2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETLead free product is acquiredMARKING Equivalent CircuitSurface mount packageA2sHB wAPPLICATIONLoad Switch for Portable DevicesDC/DC Converter*

0.25. si2302a.pdf Size:705K _cn_szxunrui

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSI2302AN-Channel 20-V(D-S) MOSFETSI2302AV(BR)DSS RDS(on)MAX IDSOT-230.040@ 4.5V320V 3A1.GATE0.050@ 2.5V2.SOURCE3.DRAIN12General FEATURETrenchFET Power MOSFETLead free product is acquired Equivalent CircuitMARKINGSurface mount packageA2 wAPPLICATIONLoad Switch for Portable DevicesDC/DC Converter*

Источник

Решено Китайская USB автомагнитолла, опознать транзистор

Попало в ремонт такое чудо, без названия, на плате обнаружил в уголь згоревший транзистор, название определить не возвозно. Может у кого есть под рукой этот «агрегат», помогите опознать деталь.

Информация Неисправность Прошивки Схемы Справочники Маркировка Корпуса Сокращения и аббревиатуры Частые вопросы Полезные ссылки

Справочная информация

Этот блок для тех, кто впервые попал на страницы нашего сайта. В форуме рассмотрены различные вопросы возникающие при ремонте бытовой и промышленной аппаратуры. Всю предоставленную информацию можно разбить на несколько пунктов:

Неисправности

О прошивках

Большинство современной аппаратуры представляет из себя подобие программно-аппаратного комплекса. То есть, основной процессор управляет другими устройствами по программе, которая может находиться как в самом чипе процессора, так и в отдельных микросхемах памяти.

На сайте существуют разделы с прошивками (дампами памяти) для микросхем, либо для обновления ПО через интерфейсы типа USB.

Схемы аппаратуры

Начинающие ремонтники часто ищут принципиальные схемы, схемы соединений, пользовательские и сервисные инструкции. Это могут быть как отдельные платы (блоки питания, основные платы, панели), так и полные Service Manual-ы. На сайте они размещены в специально отведенных разделах и доступны к скачиванию гостям, либо после создания аккаунта:

Справочники

На сайте Вы можете скачать справочную литературу по электронным компонентам (справочники, таблицу аналогов, SMD-кодировку элементов, и тд.).

Современная элементная база стремится к миниатюрным размерам. Места на корпусе для нанесения маркировки не хватает. Поэтому, производители их маркируют СМД-кодами.

При создании запросов в определении точного названия (партномера) компонента, необходимо указывать не только его маркировку, но и тип корпуса. Наиболее распостранены:

Краткие сокращения

При подаче информации, на форуме принято использование сокращений и аббревиатур, например:

Частые вопросы

После регистрации аккаунта на сайте Вы сможете опубликовать свой вопрос или отвечать в существующих темах. Участие абсолютно бесплатное.

Ответ в тему Китайская USB автомагнитолла, опознать транзистор как и все другие советы публикуются всем сообществом. Большинство участников это профессиональные мастера по ремонту и специалисты в области электроники.

Возможность поиска по всему сайту и файловому архиву появится после регистрации. В верхнем правом углу будет отображаться форма поиска по сайту.

Полезные ссылки

Здесь просто полезные ссылки для мастеров. Ссылки периодически обновляемые, в зависимости от востребованности тем.

Источник

что за детали с маркировкой A7s и A7w в корпусе SOT23

стоят в безымянной китайской двд-книжке типа Super, собранной на SPHE8202TQ, SA5888

на плате маркировка SP-8202TQ MP board.
попадались 3 платы совершенно одинаковых,
в одной стояли A7w, в другой A7s на тех же местах, эти платы доноры, полностью исправны, на 3-ей плате эти детали до меня пытались заменить на транзисторы, при этом плата запускается, но глючит

возле самих A7w позиционные номера Q1 и Q4

на исправных платах тестером звонятся как транзисторы, проводимость не помню, но сопротивление переходов не 500-600 Ом, а 1300-1500

замена на диоды BAV99 привела к полной неработоспособности аппарата

по справочнику A7W и A7S это сдвоенные диоды BAV99 и BAW99 с разной цоколёвкой

Как определить компонет Маркировка компонентов Логотип производителя Корпуса электронных компонентов Справочники Обмен ссылками Ссылки дня

Как определить электронный компонент?

В первую очередь по его маркировке. Для начинающих, отметим, что во многих случаях для успешного опознования компонента необходимо определить:

Она может быть полной, укороченной, SMD-кодом, цветовой, и тд. И если с резисторами и конденсаторами обычно проблем нет, то с микросхемами и транзисторами часто возникают вопросы с распознованием.

Какие логотипы у производителей электронных компонентов?

Большой список фото и других данных по компаниям производителей размещены в теме логотипы производителей электронных компонентов

Какие типы корпусов электронных компонентов?

Источник

Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора A2SHB.

Высказывания:
Хороший план сегодня лучше безупречного завтра.
Закон Паттона

Основные параметры полевого n-канального транзистора A2SHB

Тип канала: n-канал
Структура (технология): MOSFET

Производитель:
Сфера применения:
Популярность: 466
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора A2SHB

Общий вид транзистора A2SHB.	Цоколевка транзистора A2SHB.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора A2SHB.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Источник