Транзистор pmbs3906 чем заменить
Транзистор pmbs3906 чем заменить
Наименование производителя: PMBS3906
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
PMBS3906 Datasheet (PDF)
0.1. pmbs3906 4.pdf Size:52K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBS3906PNP general purpose transistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 May 20Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor PMBS3906FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collect
7.1. pmbs3904 4.pdf Size:52K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBS3904NPN general purpose transistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 May 20Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor PMBS3904FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collect
7.2. pmbs3904.pdf Size:125K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBS3904NPN general purpose transistorProduct data sheet 2004 Feb 02Supersedes data of 1999 Apr 22 NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose transistor PMBS3904FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector General purpose switchin
Транзистор pmbs3906 чем заменить
Наименование производителя: PMST3906
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
PMST3906 Datasheet (PDF)
0.1. pmst3906.pdf Size:77K _philips
0.2. pmst3906 3.pdf Size:52K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D187PMST3906PNP switching transistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 May 27Philips Semiconductors Product specificationPNP switching transistor PMST3906FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Swit
7.1. pmst3904 3.pdf Size:52K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D187PMST3904NPN switching transistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 04Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor PMST3904FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector Tele
Транзистор pmbs3906 чем заменить
Наименование производителя: SMBT3906
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
SMBT3906 Datasheet (PDF)
0.1. smbt3906.pdf Size:178K _siemens
PNP Silicon Switching Transistor SMBT 3906 High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage Complementary type: SMBT 3904 (NPN)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3SMBT 3906 s2A Q68000-A4417 B E C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE0 40 VCollector-base voltage VCB0
SMBT 3906SPNP Silicon Switching Transistor Array4 High DC current gain: 0.1mA to 100mA5 Low collector-emitter saturation voltage6 Two ( galvanic) internal isolated Transistors with high matching in one package Complementary type: SMBT 3904S (NPN)32VPS056041Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageSMBT 3906S s2A Q62702-A1202 1/4=E1/E2 2/5=B1/B
SMBT3906/ MMBT3906PNP Silicon Switching Transistor3 High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage Complementary type: 2 SMBT3904/ MMBT3904 (NPN)1VPS05161Type Marking Pin Configuration PackageSMBT3906/ MMBT3906 s2A SOT231 = B 2 = E 3 = CMaximum RatingsParameter Symbol Value Unit40 VCollector-emitter voltage VCEO40Coll
0.4. smbt3906u.pdf Size:76K _infineon
SMBT3906UPNP Silicon Switching Transistor Array4 High DC current gain: 0.1mA to 100mA56 Low collector-emitter saturation voltage Two ( galvanic) internal isolated Transistors with good matching in one package32 Complementary type: SMBT3904U (NPN)1C1 B2 E2 VPW091976 5 4TR2TR11 2 3E1 B1 C2EHA07175Type Marking Pin Configuration PackageSMBT3906U s2A 1=E1 2=
SMBT3906. MMBT3906PNP Silicon Switching Transistors High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage For SMBT3906S and SMBT3906U: Two (galvanic) internal isolated transistor with good matching in one package Complementary types: SMBT3904. MMBT3904 (NPN) SMBT3906S/ U: for orientation in reel see package information below P