Транзистор p24nf10 для чего используется
Транзистор STP24NF10 полевой N-канальный 100V 24A корпус TO-220
Тип: Полевые транзисторы
Транзистор STP24NF10 полевой N-канальный 100V 24A корпус TO-220 используется для подключения нагрузки с потребляемым током не более 24A
Транзистор STP24NF10 полевой N-канальный 100V 24A корпус TO-220 выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.
Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода («сток» и «исток»), а управляющий электрод – затвор.
Поскольку транзистор называется «полевым», управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.
Транзистор STP24NF10 полевой N-канальный 100V 24A корпус TO-220 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.
Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.
Основные параметры транзистора STP24NF10 полевого
При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.
Максимальный ток для полевого транзистора STP24NF10 составляет 24A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.
Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током «исток»-«сток».
Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами «сток» и «исток». При превышении этого параметра, транзистор может «пробиться». Для рассматриваемой модели напряжение составляет 100V.
Также транзистор STP24NF10 характеризуется напряжением отсечки на участке «затвор»-«исток». Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.
От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.
Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.
При проектировании схем с применением полевого транзистора STP24NF10 следует учитывать:
В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.
Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.
Купить транзистор STP24NF10 полевой N-канальный 100V 24A корпус TO-220 в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.
Транзистор N-MOSFET полевой STMicroelectronics STP24NF10 (STP24NF10)
Цена без НДС: 123.20 ₽
Купить Транзистор N-MOSFET полевой STP24NF10 производителя STMicroelectronics можно оптом и в розницу с доставкой по всей России, Казахстану, Республике Беларусь и Украине, а так же в другие страны Таможенного союза (Армения, Киргизия и др.).
Для того, чтобы купить данный товар по базовой цене в розницу, положите его в корзину и оформите заказ следуя детальной инструкции. Обращаем Ваше внимание, что в зависимости от увеличения объёма продукции перерасчёт розничной цены будет произведен автоматически. Оптовая цена на транзистор n-mosfet полевой 100в 18а STP24NF10 выставляется исключительно после отправки коммерческого запроса на e-mail: [email protected] или [email protected]
Мы работаем со всеми крупными транспортными компаниями и гарантируем оперативность и надежность каждой поставки независимо от региона присутствия заказчика. Данный товар так же поставляются с различных складов Европы, Китая и США. Возможные варианты поставки запрашивайте у специалистов компании SUPPLY24.ONLINE.
Транзисторы с каналом N THT практически всех известных мировых брендов представлены нашей компанией. В случае если интересующий Вас товар не был найден на нашем сайте, обратитесь в службу технической поддержки или обслуживающему Вас менеджеру и наши инженеры подберут аналоги для Вашего оборудования. Таким образом, возможно снизить затраты до 20% на обслуживание оборудования и оптимизировать Ваши расходы. Компания SUPPLY24.ONLINE берёт на себя полную ответственность за правильность подбора аналога. Наша компания предлагает только разумный подход, если по ряду критериев запрашиваемый товар не подразумевает замену на аналог, мы не предлагаем замену.
Стратегическая цель нашей компании помочь Вам подобрать оборудование и товар с оптимальными характеристиками, и разобраться в огромном количестве товарных позиций и предложений.
Справочник по MOSFET транзисторам
N-канальные MOSFET транзисторы одноканальные
Корпуса для поверхностного монтажа
20V, 4A, 43 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
20V, 6.4A, 21 mOhm, 8 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
25V, 5.7A, 24 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23
30V, 2.7A, 100 mOhm, 1.0 nC Qg, SOT-23
30V, 5.2A, 27 mOhm, 3.6 nC Qg, SOT-23
30V, 3.3A, 77 mOhm, 3 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
30V, 6.3A, 34 mOhm, 7.5 nC Qg, 2.5V drive capable, SOT-23
40V, 3.6A, 56 mOhm, 2.6 nC Qg, SOT-23
60V, 1.2A, 460 mOhm, 0.4 nC Qg, SOT-23
60V, 2.7A, 92 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23
100V, 1.6A, 220 mOhm, 2.5 nC Qg, SOT-23
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20V, 8.5A, 11.7 mOhm, 14 nC Qg, 2.5V drive capable
25V, 8.5A, 13 mOhm, 4.3 nC Qg
30V, 8.5A, 16.2 mOhm, 11nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 16 mOhm, 4.2 nC Qg
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20V, 40A, 2.5 mOhm, 52 nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 16A, 7.1 mOhm, 9.6 nC Qg
30V, 12A, 12.4 mOhm, 5.4 nC Qg
30V, 24A, 7.8 mOhm, 7.3 nC Qg
30V FETky, 40A, 4.3 mOhm, 13 nC Qg
30V, 40A, 3.8 mOhm, 15 nC Qg
30V, 40A, 3.5 mOhm, 41 nC Qg, 2.5V drive capable
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20V, 20A, 4.4 mOhm, 22 nC Qg, SO-8
25V, 25A, 2.7 mOhm, 35 nC Qg, SO-8
20V, 27A, 2.45 mOhm, 130 nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 21mOhm, TSOP-6
30V, 11A, 11.9 mOhm, 6.2 nC Qg, SO-8
30V, 14A, 8.7 mOhm, 8.1 nC Qg, SO-8
30V, 14A, 8.5 mOhm, 8.3 nC Qg, SO-8
30V, 18A, 4.8 mOhm, 17 nC Qg, SO-8
30V, 21A, 3.5 mOhm, 20 nC Qg, SO-8
30V, 21A, 3.3 mOhm, 30 nC Qg, SO-8
30V, 24A, 2.8 mOhm, 44 nC Qg, SO-8
30V, 9.9A, 14.6 mOhm, 11 nC Qg, 2.5V drive capable
30V, 8.5A, 20mOhm, 2.5V drive capable, TSOP-6
40V, 18A, 5 mOhm, 33 nC Qg, SO-8
60V, 12A, 9.4 mOhm, 26 nC Qg, SO-8
80V, 9.2A, 15 mOhm, 31 nC Qg, SO-8
80V, 10A, 13.4 mOhm, 27 nC Qg, SO-8
100V, 7.3A, 22 mOhm, 34 nC Qg, SO-8
100V, 8.3A, 18 mOhm, 28 nC Qg, SO-8
150V, 5.2A, 44 mOhm, 36 nC Qg, SO-8
150V, 5.1A, 43 mOhm, 25 nC Qg, SO-8
200V, 3.7A, 79 mOhm, 39 nC Qg, SO-8
Все транзисторы являются Trench MOSFET транзисторы и предназначены для применения в импульсных источниках питания.
20
—
25 В
20V, 100A, 1.2 mOhm, 155 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6
20V, 50A, 3.0 mOhm, 54 nC Qg, 2.5V drive capable, PQFN5x6
25V, 51A, 6 mOhm, 7 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6
25V, 100A, 1.15 mOhm, 52 nC Qg, PQFN 5×6
25V FETky, 100A, 1.4 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
30 В
30V, 16A, 13 mOhm, 4.7 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 9 mOhm, 7.1 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 44A, 8.1 mOhm, 7.8 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 6.6 mOhm, 9.3 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 25A, 5 mOhm, 15 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 79A, 4.5 mOhm, 16 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 82A, 4.2 mOhm, 15 nC Qg, Low Rg, PQFN 5×6
30V, 50A, 4.1 mOhm, 14 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 50A, 3.1 mOhm, 19 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 50A, 2.1 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, PQFN 5×6
30V FETky, 100A, 2.5 mOhm, 26 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 1.85 mOhm, 37 nC Qg, PQFN 5×6
30V, 100A, 1.4 mOhm, 50 nC Qg, PQFN 5×6
40 В
40V, 100A, 4.3 mOhm, 42 nC Qg, PQFN 5×6
40V, 100A, 3.5 mOhm, 53 nC Qg, PQFN 5×6
40V, 100A, 2.6 mOhm, 73 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 40A, 14.4 mOhm, 23 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 89A, 6.7 mOhm, 40 nC Qg, PQFN 5×6
60V, 100A, 5.6 mOhm, 50nC Qg, PQFN 5×6
60V, 100A, 4.1 mOhm, 67 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 75A, 8.5 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 71A, 9.6 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
75V, 100A, 5.9 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6
100 В
100V, 55A, 14.9 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5×6
100V, 63A, 12.4 mOhm, 48 nC Qg, PQFN 5×6
100V, 100A, 9.0 mOhm, 65 nC Qg, PQFN 5×6
150 В
150V, 27A, 58 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6
150V, 56A, 31 mOhm, 33 nC Qg, PQFN 5×6
200 В
200V, 20A, 100 mOhm, 20 nC Qg, PQFN 5×6
200V, 41A, 59 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6
250 В
250V, 31A, 104 mOhm, 36 nC Qg, PQFN 5×6
25 В
25V, 39A, 7.8 mOhm, 8.1 nC Qg, Small Can
25V, 37A, 5.9 mOhm, 8.8 nC Qg, Small Can
25V, 68A, 4.9 mOhm, 13 nC Qg, Small Can
25V, 95A, 3.0 mOhm, 21 nC Qg, Small Can
25V, 166A, 2.1 mOhm, 29 nC Qg, Med Can
25V, 180A, 1.6 mOhm, 40 nC Qg, Med Can
25V, 180A, 1.6 mOhm, 39 nC Qg, Med Can
25V, 220A, 1.25 mOhm, 46 nC Qg, Med Can
25V, 160A, 1.8 mOhm, 35 nC Qg, Med Can
25V, 210A, 1.4 mOhm, 45 nC Qg, Med Can
25V, 270A, 0.7 mOhm, 64 nC Qg, Large Can
30 В
30V, 35A, 8.0 mOhm, 7.9 nC Qg, Small Can
30V, 36A, 8.9 mOhm, 6.6 nC Qg, Small Can
30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual
30V, 47A, 6.6 mOhm, 9.4 nC Qg, Med Can Dual
Транзистор p24nf10 для чего используется
This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFETTM process has specifically been designed to minimize the on-resistance. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency,high-frequency isolated DC-DC converters for Telecom and Computer application. It is also intended for any applications with low gate drive requirements.
Part number STP24NF10 STB24NF10 Marking P24NF10 B24NF10 Package TO-220 DІPAK Packaging Tube Tape & reel
Package mechanical data. 9 Packaging mechanical data. 12 Revision history. 13
Parameter Drain-source voltage (VGS = 0) Drai-gate voltage (RGS=20k) Gate-source voltage Drain current (continuous) = 25°C Drain current (continuous) at TC=100°C Drain current (pulsed) Total dissipation = 25°C Derating factor Value to 175 Unit W/°C V/ns mJ °C
Peak diode recovery voltage slope Single pulse avalanche energy Operating junction temperature Storage temperature
1. Pulse width limited by safe operating area. 2. ISD Low Noise HCMOS Dual High Speed Bus Switch
M25PE20-VMN6TP : 1 Mbit, Low Voltage, Page-Erasable Serial Flash Memories with Byte-Alterability, 33 MHz SPI Bus, Standard Pin-out
TS27M2CP : Precision LOW Power CMOS DUAL Operational Amplifiers
STM1404ASOHQ6F : 3 V Fips-140 Security Supervisor with Battery Switchover
M24C01-DS3TP : 16kbit, 8kbit, 4kbit, 2kbit and 1kbit Serial I2C Bus Eeprom
M93C86-RDS6TP : 1K X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 Specifications: Density: 16 kbits ; Number of Words: 1 k ; Bits per Word: 16 bits ; Bus Type: Serial ; Production Status: Full Production ; Data Rate: 2 MHz ; Logic Family: CMOS ; Supply Voltage: 5V ; Package Type: 3 X 3 MM, TSSOP-8, TSSOP ; Pins: 8 ; Operating Range: AUTOMOTIVE ; Operating Temperat
STM8AF5169TDY : MICROCONTROLLER, PQFP64 Specifications: Life Cycle Stage: ACTIVE ; Package Type: LFQP, Other, 10 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, LQFP-64 ; Pin Count: 64
K6F8016U6M : = K6F8016U6M 512K X 16bit Super Low Power And Low Voltage Full CMOS Static RAM ;; Organization = 512Kx16 ;; Vcc(V) = 2.7
LRS1807A : FLASH/SRAM Combinations (Stacked Chip. 32M ( X16) Dual Work Boot Block Flash & 16M ( X16) Scram.
TPS75125Q : Fast-transient-response 1.5-a Low-dropout Voltage Regulators. TPS75125Q, TPS75133Q WITH POWER GOOD TPS75325Q, TPS75333Q WITH RESET FAST-TRANSIENT-RESPONSE 1.5-A LOW-DROPOUT VOLTAGE REGULATORS 1.5-A Low-Dropout Voltage Regulator Available 2.5-V, 3.3-V, Fixed Output and Adjustable Versions Open Drain Power-Good (PG) Status Output (TPS751xxQ) Open Drain Power-On Reset With 100-ms Delay (TPS753xxQ) Dropout Voltage.
DM78L05 : Technical s OF LOW Current Positive Voltage Regulator. TECHNICAL S OF LOW CURRENT POSITIVE VOLTAGE REGULATOR These regulators empoly internal current limiting and thermal shutdown, making them essentially indestructible. They can deliver to 100mA output current, if the case temperature o can keep =25 C. They are intended as fixed voltage regulators in a wide range of applications including local(on-card).
370-10-116-00-001 : PCB Header Strips Single row / Double row Wire-wrap / Solder tail. PCB Header Strips Single row / double row Wire-wrap / solder tail Headers With pin / slotted / turret / solder cup head Solder tail or wrapost Solder tail pin 0.53 mm Wrapost termination s 0.63 square Ordering information Replace xx with the number of poles. e.g. 460-10-2xx-00-001 for a double row version with 8 pins per row becomes: 460-10-216-00-001.
TIP41AB : Plastic-encapsulated Transistors. Power dissipation PCM: W (Tamb=25) TRANSISTOR (NPN) TO-220 Collector current ICM: 6 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 100 V Operating and storage junction temperature range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 Parameter 41A Collector-base breakdown voltage 41C 41A Collector-emitter breakdown voltage 41B 41C Emitter-base breakdown voltage 41B 41C V(BR)EBO.
125°C ; Mounting Type: Surface Mount, MLCC.
0.450 Ohm ; Lead Free Status: Lead Free.
LTO050F2R200JTE3 : 2.2 Ohm 50W Through Hole Resistors; RES 2.2 OHM 50W 5% TO-220. s: Resistance (Ohms): 2.2 ; Power (Watts): 50W ; Tolerance: ±5% ; Packaging: Tube ; Composition: Thick Film ; Temperature Coefficient: ±150ppm/°C ; Lead Free Status: Lead Free ; RoHS Status: RoHS Compliant.
SI-50140 : DATACOM TRANSFORMER FOR GENERAL PURPOSE APPLICATION(S). s: Category: Signal ; Other Transformer Types / Applications: Pulse Transformers, DATACOM TRANSFORMER ; Mounting: Chip Transformer.